重點一 ：台積電在美國亞利桑那州鳳凰城的 Fab 21 廠第一期工程耗時五年，但據《日經亞洲》報導，台積電期望後續廠房建設速度能縮短至兩年。
重點二 ：報導也指出， 台積電已克服美國建廠的勞工、成本與文化障礙，並計劃今年開始興建在美國的第三座晶圓廠Fab 21 module 3。外媒推估，2奈米製程可能在2027年技轉至美廠。
重點三 ：但即使台積電加速美國建廠，設備供應商如 ASML (艾司摩爾) 與應用材料的交貨期仍是一大挑戰。
台積電在美國亞利桑那州鳳凰城 Fab 21 廠第一期工程，從動工到開始生產耗時約五年，主要原因是勞工問題、成本飆升以及文化差異。但據《日經亞洲》報導， 隨著台積電在美國的幹部歷經建廠磨練後，興建新 Fab 21 廠的進度應能接近「台灣速度」，亦即在台灣常見的兩年建廠時程。
報導也指出，台積電計劃今年開始興建其在美國的第三座晶圓廠，即 Fab 21 廠第三期工程，預計生產 2 奈米及更先進晶片。一位台積電高階主管向《日經亞洲》表示 ，「經過一段痛苦的學習曲線後，我們終於串聯起大部分環節，並知道在興建新廠時可以與哪些當地營造承包商合作。」
綜觀台積電美國廠的三期進程：一期（N4製程）：2020 年動工，2025年投產；二期（3奈米製程）：2026 年試產，2028 年量產；至於三期（2奈米製程），可能 2028 年試產，2029年具備量產能力。
台積電2奈米製程，推估在2027年輸美
據《Tom’s Hardware》報導，目前台積電正在 Fab 21 廠第一期工程中完成設備安裝，並計劃在 Fab 21 廠第二期工程完工後將機台搬入。台積電預計將在 2026 年左右，於 Fab 21 廠第二期工程開始使用其 3 奈米級製程技術（N3B、N3E、N3P、N3X 等）進行試產，並在 2028 年開始量產。
報導也指出，若台積電確實在大約兩年內興建其具備 2 奈米製程能力的 Fab 21 廠第三期工程，確實可以在美國加速生產其 N2 系列和 A16（1.6 奈米級）製程技術的晶片。 換言之，第三廠設施可能在 2027 年下半年準備就緒並完成設備安裝，並開始從台灣進行技術轉移。而若一切順利，則可能在 2028 年左右開始試產，並在 2029 年開始量產。
然而，最大的問題是，如果台積電大幅加快建廠進度，是否能及時取得所有必要的設備。ASML (艾司摩爾) 和應用材料（Applied Materials）等公司都有價值數十億美元的積壓訂單，為了加快交貨時間，它們需要擴大新生產產能，因此他們很難提前交付原先協議的設備。
儘管台積電當然希望擴大其在美國的生產設施（尤其是在美國前總統川普以關稅威脅該產業的情況下），但他們幾乎無法顯著加快取得晶圓廠設備的速度。
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資料來源：日經亞洲、Tom's hardware
本文初稿為AI編撰，整理．編輯/ 李先泰
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