中國長江存儲提前開新產能，分析師：仍難扭轉 NAND 供給吃緊
近期市場傳出中國記憶體大廠長江存儲（YMTC）可能將原定於 2027 年開出的新產能，提前至 2026 年下半年量產。部分觀點推論，此舉或許能為緊繃的全球 NAND Flash 供給帶來緩解，並抑制價格漲勢。然而，根據市場分析師深入分析產業供給面的結構性限制與 AI 帶動的爆發性需求，單一原廠的擴產行動恐怕難以扭轉全球 NAND 供給緊張與漲價的結構性缺貨趨勢。
根據分析師的報告指出，首先，全球 NAND 產業的產出成長模式已發生根本性改變。過去產業習慣的每年 30% 高速位元成長（Bit Growth）已不復見，取而代之的是更為保守的擴張策略。根據目前各大原廠的資本支出規劃推估，NAND 原廠的位元成長年複合成長率（CAGR）將降至 10–15%，遠低於過往水準。預估 2026 年全球 NAND 原廠總產出將落在 1,100 至 1,200 EB 之間。
造成此現象的主因在於資本支出的排擠效應與技術策略的轉向：
資源轉向高毛利產品：包括三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）與美光（Micron）在內的半導體巨頭，近年將資本支出重心轉向高頻寬記憶體（HBM）、先進 DRAM 以及製程優化，而非大規模興建新的 NAND 晶圓廠。
技術迭代取代產能擴充：多數原廠選擇透過「提升單位晶圓密度」（如增加堆疊層數）來達成位元成長，而非單純擴大晶圓投片量，這使得整體供給增長趨於保守。
產能排擠效應：在 AI 世代下，原廠更傾向將有限的產能配置給高毛利的企業級伺服器與 AI 相關應用。目前多家供應商已公開表示，2026 全年產能已被預定或售罄，缺貨狀況預計至少持續至 2027 年。
報告還表示，針對長江存儲可能提前量產的消息，其對全球有效供給的實際貢獻仍充滿不確定性。雖然名為擴產，但長江存儲此次擴廠的主要目標是供給 3D DRAM，而非單純的 NAND Flash。此外，受到 3D NAND 結構與先進製程設備的限制，新廠投產初期的製程複雜度極高，良率爬升（Yield Ramp-up）通常需要數個季度甚至更長時間。
更關鍵的是地緣政治與政策因素。長江存儲可能在中國政策要求下，優先支持中國特定產業與應用。這意味著即便 2026 年下半年新產能啟動，其對中國以外的全球市場支持力度將相對有限。換言之，真正能對全球供給產生實質影響的時間點可能已接近 2027 年，且數量難以撼動整體供需結構。
此外，與供給端的保守形成強烈對比的，是 AI 技術對 NAND 需求的結構性放大。AI 對儲存空間的需求已不僅止於訓練階段，更來自於規模化的「AI 推論」（Inference）。以單一伺服器平台為例，若 Vera Rubin 伺服器搭載 32TB SSD，假設出貨量為 1,000 萬片，僅此單一平台的 NAND 需求就高達 320 EB，約占全球 NAND 總產出的 30%。這項驚人的數據尚未納入其他 AI 訓練平台、大型資料中心擴建，以及企業私有 AI 部署的潛在需求。
報告進一步指出，大型雲端服務供應商（CSP）正投入數千億美元建置 AI 基礎設施，其商業模式仰賴推動大量用戶使用 AI 推論，並分析由此產生的龐大數據。在此模式下，儲存容量已成為 CSP 營收與獲利的核心基礎設施。
根據某 NAND 原廠估計，目前 CSP 對 NAND 的總需求量對照全球總供給量，已出現接近 15-20% 的供給缺口。這並非傳統的景氣循環波動，而是嚴重的結構性需求所造成的供給短缺。隨著 AI 推論讓需求「沒有上限」，能建構多少 NAND 儲存能力，將直接決定 CSP 的 AI 服務規模與變現能力。
綜合供需兩端分析，2026 年 NAND 供給年增率僅 10-15%，且原廠傾向擴大生產更高毛利的 HBM 與 DRAM，進一步排擠 NAND 產能。面對 AI 帶動的爆發性需求成長，單一供應商如長江存儲的擴產消息，受限於良率、產品種類（3D DRAM）及地緣策略，難以實質扭轉全球 NAND 供給緊張與漲價的結構性趨勢。市場應對未來幾年的結構性缺貨做好長期準備。
(首圖來源：長江存儲)