次世代 DRAM 架構戰開打！三星擬導入 GAAFET、SK 海力士走垂直堆疊
根據業界消息，三星與SK 海力士正採用兩種不同策略來製造下一代DRAM 記憶體晶片，三星考慮將環繞閘極電晶體（GAAFET）製程技術導入下一代DRAM 晶片。
由於記憶體晶片需要儲存資料，結構除了電晶體外，還必須搭配電容來保存電荷。隨著製程持續微縮，如何在有限空間內維持足夠容量的電容，成為DRAM 發展上的重大挑戰。記憶體廠商正朝向3D DRAM 發展。透過更先進的製造技術，可提升晶體密度，但也增加元件彼此接觸與干擾的風險，因此新架構變得更加重要。
業界消息傳出，三星電子目前正在研發 16 層垂直堆疊 DRAM，並研究將GAAFET 技術導入DRAM。GAAFET 是在邏輯晶片中，利用閘極包覆電晶體通道，以提升電流控制能力，能帶來更好的效能與功耗表現。
但由於DRAM 還包含電容結構，三星必須在單一DRAM 單元（cell）內整合GAAFET 電晶體與電容。消息人士透露，三星考慮採用類似NAND Flash 的設計方式，將負責讀寫控制等功能的周邊電路放置於記憶體陣列下方。
SK 海力士則在測試「4F²」架構，採用垂直堆疊電晶體的方式，並以閘極材料包覆柱狀電晶體。這種方法同樣類似GAAFET 概念，而負責接收電容資料的元件則配置於電晶體柱下方。
消息人士透露，三星與SK 海力士正努力讓自身技術率先獲得業界認可，藉此成為下一代DRAM 的主流標準，進一步主導未來AI 記憶體市場。
（首圖來源：shutterstock）