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一顆CPU要配200顆DRAM!南亞科看淡HBM,改押客製化記憶體搶地端AI

數位時代

更新於 07月22日07:50 • 發布於 07月21日21:25

AI基礎設施需求帶動記憶體供不應求,南亞科技資深副總經理暨永續長吳志祥於7月21日工研院「半導體與AI算力永續競爭力論壇」上指出,隨著生成式AI模型快速發展,逐漸從雲端訓練走向地端推論,高頻寬記憶體(HBM)已經不是所有AI應用的最佳選擇,南亞科目前積極布局客製化UWIO DRAM及3D IC堆疊技術,位於新北泰山、總投資規模上看新台幣5,000億元的新晶圓廠,也預計明年開出新產能。

他表示,因AI需求高漲,今年全球半導體產值將突破1兆美元,甚至上看1.6兆美元。其中,記憶體(DRAM與Flash)產值可望達8,000億美元,占整體半導體產值比重上看5成,高於過去3成的水準。

南亞科技資深副總經理暨永續長吳志祥說道,南亞科預期未來1到2年內,3D IC晶片堆疊技術將普及。

當全球數億台終端裝置同步升級,也將帶動新一波DRAM需求。「AI不會只停留在資料中心。」吳志祥說道,當AI開始走進每一台電腦、每一支手機,記憶體需求只會持續增加,這也成為南亞科持續擴產、推進新製程的原因。

他以AI伺服器為例,一顆GPU周邊可能需要96顆高密度DRAM;進入推論時代,一顆CPU搭配的DRAM數量甚至超過200顆。AI PC的記憶體容量,也可能從過去的16GB、24GB,一路增加到128GB。

延伸閱讀:南亞科毛利率衝上79.5%!連DDR3都在漲,記憶體還會漲多久?法說會8大重點一次看

HBM之後,搶攻地端AI記憶體

過去幾年,HBM高頻寬記憶體成為AI訓練的標準配備。大型語言模型要處理龐大參數,必須靠HBM快速搬移資料;但吳志祥認為,當AI從訓練走向推論,HBM未必適合。

因為AI興起後,大型語言模型參數近年以接近每年百倍速度增加,即便用高頻寬記憶體(HBM),仍無法完全解決記憶體牆(Memory Wall)問題。

推論過程會對記憶體頻寬與容量提出更高要求。然而,HBM受限於輸入輸出接點數量、成本與功耗,在講究省電、反應速度與體積的AI PC、手機及攜帶式裝置上,難以直接照搬資料中心的架構。

因此,南亞科將下一步押在客製化UWIO DRAM,透過3D IC技術,將DRAM直接堆疊、連結至CPU或ASIC邏輯晶片。縮短資料傳輸距離後,頻寬可望提高5至10倍,傳輸每一位元資料所需的能量,則可能降至HBM的三分之一到十分之一。南亞科目前以16奈米1B世代擴充十多項產品,並同步推進1C、1D及1E三個新世代製程,希望藉由技術微縮、3D堆疊與客製化設計,搶進地端AI與邊緣運算市場。

記憶體廠擴產愈快,能源帳單愈沉重

AI帶來的成長,同時也將用電壓力推向新高。吳志祥指出,台灣半導體產業一年用電約400億度,相較10年前增加約1.85倍;若依照AI需求持續成長,10年後可能提高至900億度。全球資料中心用電量可能在2030年逼近一兆度,超過日本一年的用電規模。

淨零碳排需要從晶片製造一路算到產品使用端。南亞科盤查發現,範疇一、二碳排約42萬噸,供應商及委外製造約24萬噸,但產品售出後,在客戶端使用所產生的生命週期排放約達90萬噸。

當記憶體從每天使用數小時的消費性電子,轉向24小時運作的AI設備,排放量還可能成倍增加。南亞科因此將減碳納入技術升級。以製程世代去做比較,1C產品功耗可望較1A降低約34%;製程微縮也能在同一片晶圓上生產更多晶片,降低單位產品所分攤的能源與材料消耗。

同時,吳志祥分享工廠端全面設置Local scrubber尾氣處理設備,導入智慧控制系統,依照設備實際運轉狀態調整尾氣處理,溫室氣體削減效率已達94%。在水與材料方面,南亞科讓每滴製程水循環使用4次以上,並將使用過的電子級化學品處理後,降階轉為工業級用途。

不過,要讓回收材料重新回到半導體製程,仍須克服純度驗證、良率風險、法規認定與成本等門檻。同時,南亞科也持續推動供應鏈碳盤查、提高綠電採購比例,目標2030年現有廠區綠電使用率達25%。

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