蘋果 iPhone 晶片轉向英特爾？因「製程關鍵差異」業界估可能性低
市場盛傳蘋果可能重新回到英特爾懷抱，將部分M 系列處理器與非Pro 版iPhone 晶片交由英特爾代工，但業界人士認為，蘋果iPhone 晶片採用英特爾最先進製程的可能性相當低。
市場消息先前指出，蘋果可能2027 年為最低階的M 系列晶片選用英特爾18A-P 製程，並在2028 年為非Pro 版iPhone 晶片採用該製程；中國廣發證券（GF Securities）更進一步指出，預計2028 年推出的蘋果客製化ASIC，將採用英特爾的EMIB 封裝技術。
同時，蘋果傳出已與英特爾簽署保密協議（NDA），並獲得其18A-P 製程的PDK 樣本進行評估。英特爾18A-P 是首個支援Foveros Direct 3D 混合鍵合的節點，可透過矽穿孔（TSV）將多顆晶粒進行堆疊。
不過，多位業界人士在SemiWiki 論壇和社群平台 X 上認為，英特爾製造蘋果iPhone 晶片的希望不大；其核心原因在於英特爾在18A 與14A 製程上全面押注晶背供電（BSPD）的策略。這與台積電同時提供有無BSPD 的多樣化節點不同，英特爾是在最先進18A 與14A 製程上全面導入BSPD。
雖然BSPD 透過在晶片背面以更短、更粗的金屬路徑供電，可降低壓降、提升並穩定工作頻率，釋放正面佈線資源，進而提高電晶體密度或降低擁塞與線長。但對行動晶片來說，這對效能提升有限，還會加劇自發熱效應（SHE），需要為晶粒提供額外散熱。
外媒WCCFtech 指出，為了在熱點維持相同的晶粒溫度，採用BSPD 的散熱器必須比以往低約20°C，因為垂直散熱效果不佳，而在缺乏厚矽基板的情況下，橫向散熱更差。因此，內部人士認為英特爾近期內「幾乎不可能」取得蘋果iPhone 晶片的代工訂單，但M 系列處理器仍有可能成為例外。
（首圖來源：Unsplash）