配合輝達推新 AI 晶片，三星提高 HBM4 產能達全 HBM 一半
根據韓國媒體《朝鮮日報》的最新報導，在全球人工智慧晶片需求持續爆發的背景下，韓國三星正積極鞏固其在 HBM 市場的領先地位。三星電子記憶體開發部副總裁 Hwang Sang-jun 於當地時間 16 日於輝達 GTC 年度大會現場，向媒體記者揭露了三星最新的 HBM 量產進度與次世代技術發展藍圖。他強調，三星的產能正快速提升，並將全力支援輝達等核心客戶的 AI 晶片發布週期。
在 GTC 2026 的現場採訪中，Hwang Sang-jun 針對外界高度關注的 HBM 產能問題給出了明確的回應。他表示，我們目前正以非常陡峭的曲線進行產能提升，且在生產環節上沒有面臨太大的問題。針對未來的產品布局，Hwang Sang-jun 指出，三星的戰略目標是讓最新一代的 HBM4 產品，在公司整體的 HBM 總產量中占據高達一半以上的比例。
面對當前全球記憶體市場可能出現的供應緊缺情況，三星也制定了明確的應對方針。Hwang Sang-jun 強調，在市場供應略顯不足的情況下，將產能與供應重心集中於高階優質產品，從整體產業發展的宏觀角度來看，是更好的選擇。此外，對於全球記憶體供應不足的現況，他進一步表明了 「策略性供應」 的必然性。Hwang Sang-jun 指出，在產能有限的條件下，三星必須將戰略合作夥伴與一般量產供應客戶進行明確區分，並依此來分配產品數量，這是在當前市場環境下不得不採取的資源配置做法。
除了產能與供應策略，Hwang Sang-jun 也在大會上首度公開了三星針對次世代 HBM 的先進製程發展藍圖。目前已經開始步入量產階段的第六代 HBM4，以及其後續的升級版第七代 HBM4E 產品，兩者的基礎晶粒（Base Die）都將採用相同的 4 奈米製程技術。然而，在未來的 HBM5 以及 HBM5E 世代產品中，三星計劃全面導入自家晶圓代工更為先進的 2 奈米製程技術。
在堆疊用晶片方面，HBM5 與 HBM5E 預計將分別採用 10 奈米等級的 1c（第六代）與 1d（第七代） 製程技術。Hwang Sang-jun 進一步指出，採用如此尖端的製程技術確實會帶來成本壓力與負擔。不過，為了滿足 HBM 未來所追求的產品效能與設計概念，積極導入先進製程技術是不可避免的發展趨勢。
報導進一步指出，為了確保在激烈的 AI 晶片競賽中保持優勢，三星正推行一項緊密跟隨核心客戶的戰略。目前，三星正致力於將自家 HBM 記憶體的推出週期，與輝達 AI 晶片的上市週期進行同步調整，計劃以「每年」為單位，持續推出 HBM 的全新產品。
(首圖來源：三星)