採中芯國際 N+3 製程與自研 HBM 架構，華為昇騰 950 AI 晶片亮相
中國華為新一代昇騰 (Ascend) 950人工智慧晶片日前首次曝光，全面展示了該公司在客製化晶片和高頻寬記憶體（HBM）領域的最新進展，代表著其在系統級 AI 運算市場上對領先廠商的強勢挑戰。昇騰 950 系列不僅採用了華為自研的晶片，更結合了華為首款自行開發的 HBM 記憶體，強調了其供應鏈自主化的決心。
鎖定系統級運算規模，挑戰單晶片性能差距
根據外媒 Techpowerup 的報導，儘管目前在單晶片性能上，華為仍略微落後於輝達 (NVIDIA) 等競爭對手，但華為的競爭策略著重於透過系統級規模解決方案來達到競爭力。該公司的戰略核心在於密集封裝和積極的網路連接，而非單純依賴原始的單晶片算力性能。
昇騰 950 家族預計將於 2026 年初正式推出，並預計推出兩種主要型號，以滿足不同運算需求。
950PR 型號：配備 128 GB 的內部 HBM 記憶體，頻寬約為1 .6 TB/s。
950DT 型號：記憶體容量提升至 144 GB，同時頻寬大幅躍升至近 4 TB/s。
性能目標方面，這兩款晶片均以達成 FP8 精度下的 1 PetaFLOP 和 FP4 精度下的 2 PetaFLOPS 為目標。
先進製程與多晶片架構揭密
在製程選擇上，雖然官方細節尚未公布，但基於市場推斷，昇騰 950 晶片極有可能採用中芯國際（SMIC）最新的 N+3 節點進行製造。由於 N+3 節點具備 5 奈米等級的製程特性，而中芯國際已利用深紫外曝光（DUV）技術達成了其最新號稱 5 奈米節點的大量生產的情況下，且華為的 Kirin 9030 SoC 是 N+3 節點製程的首個客戶。因此，將更為重要的昇騰 950 晶片置於同一生產節點進行製造是合理的判斷。
在物理設計上，昇騰 950 晶片採用了複雜的多晶片模組（MCM）架構。初步觀察顯示，該模組結合了兩個主運算晶片，並包含兩個額外的小晶片。這兩個額外的小晶片很可能充當 I/O 和網路連接模組，負責與外部系統進行高速通訊。
自研記憶體與超大規模互連
至於，昇騰 950 晶片的關鍵技術亮點之一是其記憶體模組。其在核心的記憶體元件，類似於 LPDDR 與 HBM 的混合體，這被認為是華為自行研發的 HBM 記憶體。華為很可能將這些 HBM 模組作為獨立的晶片進行封裝，並直接堆疊在整個封裝基板之上。
而為了達到系統級的競爭優勢，這些加速器設計用於構建大規模的 SuperPoDs（超級運算單元）和 SuperClusters（超級叢集）。晶片之間的互連將依賴於全新的「靈渠」（Lingqu）互連協定和光學鏈路技術。這套先進的互連系統目的在連接數十萬張騰昇 950 運算卡，進而建立起極具競爭力的大型 AI 運算基礎設施。
昇騰 950 晶片的登場，不僅展示了華為在先進製程受限環境下追求 AI 晶片自主研發的決心，也確立了其透過整體系統規模和高效互連來追趕並挑戰全球頂級 AI 硬體市場的戰略方向。
(首圖來源:華為)