SST與聯電宣布28奈米SuperFlash Gen 4車規平台正式量產

面對車用控制器對高效能的不斷追求，Microchip子公司冠捷半導體（SST）與聯華電子1/16共同宣布，SST的第四代嵌入式SuperFlash（ESF4）解決方案，已在聯電28HPC+製程平台上完成全數驗證並正式進入量產階段，具備完整的Automotive Grade 1（AG1）車規等級能力。SST與聯電攜手打造的ESF4，不僅可於車用控制器應用中提供強化的嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）效能與驗證過的高可靠性，更相較於其他廠商的28奈米高介電係數金屬閘極（HKMG）eFlash解決方案，大幅減少了額外製程光罩步驟，為客戶帶來更具成本效益與生產效率的方案。目前已於晶圓代工廠40奈米ESF3 AG1平台生產車用控制器產品的客戶，若有升級至先進製程節點的需求，建議評估聯電28奈米ESF4 AG1平台。

Mark Reiten，Microchip副總裁表示：「隨著車用需求持續加速，開發者迫切需要能提升效率、加快產品上市並滿足嚴格車規標準的解決方案。SST與聯電攜手提供了具備量產能力的28奈米AG1解決方案，協助客戶加速設計導入。聯電一直是SST推動SuperFlash創新的重要夥伴，SST與聯電將持續共同回應快速演進的市場需求，提供具技術與經濟優勢的產品。」

徐世杰，聯電技術研發副總經理表示：「隨著車輛日益邁向互聯、自駕與共享，對高可靠性資料儲存與大容量資料更新的需求也不斷成長，促使客戶期待能在28奈米製程導入SuperFlash技術。透過與SST的緊密合作，聯電成功推出已整合至28HPC+製程平台的ESF4解決方案，讓客戶能充分運用聯電豐富的模組與IP，拓展關鍵市場，同時升級至更先進製程節點。」

聯電28HPC+製程平台上SuperFlash ESF4 AG1的關鍵效能與可靠性指標：

• 通過Automotive Electronics Council（AEC）Q-100 Grade 1認證，適用-40°C至 +150°C（Tj）溫度範圍

• 讀取存取時間小於12.5ns

• 寫入耐久達10萬次以上

• 在125°C下資料保存超過10年

• 僅需單位元錯誤更正碼（1-bit ECC）

• 32Mb巨集在AG1條件下驗證結果：

• 無任何位元錯誤（未使用ECC）

• 最高良率達100%

車用控制器的出貨量逐年快速成長，交通運輸產業對於多樣化車載應用的創新解決方案需求也與日俱增。為滿足此需求，在控制器中整合高效能且具備高可靠性的eNVM以儲存程式碼與資料，已成為關鍵。SST搭載聯電28HPC+ AG1製程的ESF4解決方案，適用於需具備空中下載（Over-the Air、OTA）無線更新功能的高容量控制器韌體，有效提升產品升級與維護的彈性。

玩家總結

此次冠捷半導體（SST）與聯電合作推出的28奈米SuperFlash Gen 4 Automotive Grade 1平台，為快速發展的車用電子市場提供了高效能、高可靠性且具成本效益的嵌入式非揮發性記憶體解決方案。特別是在車用控制器對高效能與安全性的嚴格要求下，SST的ESF4技術結合聯電的28HPC+製程，不僅通過嚴苛的車規等級驗證，更在生產效率上取得優勢，大幅減少了製程光罩步驟。這將有助於加速車用晶片設計導入，並支援未來電動車與自駕車所需的空中下載（OTA）更新功能，對於整個車用產業的技術升級與創新具有重要意義。

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