記憶體荒恐延續到2030年 科技巨頭傳直接出資替SK海力士蓋晶圓廠、買EUV機
全球 AI 熱潮引爆高頻寬記憶體 (HBM) 需求暴增，記憶體供應鏈緊張情勢正持續升級。根據路透社報導，多家大型科技公司已主動向 SK 海力士提出，願意直接出資協助購買高端半導體設備，甚至為新晶圓廠提供建廠資金，以確保未來 HBM 供應穩定。
知情人士透露，部分科技客戶已提出協助 SK 海力士購買艾司摩爾 (ASML-US) 的極紫外光 (EUV) 光刻機。由於單台 EUV 設備價格高達數億美元，加上供貨周期長，已成為全球先進晶片擴產的核心瓶頸之一。
此外，也有客戶提議為 SK 海力士位於韓國龍仁的新 DRAM 晶圓廠第一期工程提供資金支持。
SK 海力士對此回應表示，公司正「全面審查各種非常規協議的結構性替代方案」，但未進一步透露細節。
報導指出，目前 SK 海力士可用產能「幾乎為零」，這種情況在全球記憶體產業歷史上前所未見。
過去 DRAM 與 NAND Flash 記憶體通常依照市場需求預測生產，再透過開放市場銷售，客戶則藉由長期供貨協議鎖定部分供應量。
但隨著 AI 基礎設施投資大爆發，科技公司對 HBM 需求急速攀升，下游客戶已從過去被動等待供貨，轉向主動介入上游產能建設。
市場人士指出，HBM 已成為 AI 伺服器與 AI 加速器不可或缺的核心元件，尤其輝達 (NVDA-US) AI GPU 對 HBM 需求極高，使供應鏈長期處於極端緊張狀態。
目前全球 HBM 市場主要由 SK 海力士、三星電子與美光 (MU-US) 三大廠主導，但即使持續擴產，供應仍遠遠跟不上需求增速。
SK 集團會長崔泰源今年 3 月曾預警，全球記憶體短缺可能持續至 2030 年；三星電子與 SK 海力士近期也向投資人表示，供應吃緊情況至少到 2027 年前都難以明顯改善。
為因應長期缺貨風險，供應商與客戶目前正討論多種創新合作模式。
其中包括「價格區間協議」，即事先設定年度價格上下限，降低過去以季度為基礎的劇烈價格波動。
另外，也有供應商要求客戶採取預付款機制，需提前支付合約金額 30% 至 40% 的現金，以協助設備採購與擴產。
市場分析認為，這代表 AI 算力競賽正迫使半導體供應鏈權力結構發生根本變化。
過去由晶片廠主導供應節奏的模式，如今逐漸演變成下游客戶直接參與資本支出與產能布局的新模式。
這種「產用聯盟」架構，在過去記憶體產業相當罕見。
分析人士指出，大型科技公司之所以願意直接投資產能，主要因為 AI 競爭已從單純模型能力競賽，進一步演變為算力與供應鏈掌控能力競賽。
誰能率先鎖定 HBM 供應，誰就能在下一輪 AI 基礎設施競賽中取得優勢。
受惠 AI 記憶體需求爆發，SK 海力士股價今年累計已大漲 154%，市值躍升為亞洲第三大半導體企業，僅次於台積電與三星電子。
市場也開始關注，若未來更多科技巨頭直接參與晶片供應鏈資本支出，是否將進一步改變全球半導體產業長期以來的商業模式與供應規則。
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