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中國版「曼哈頓計畫」曝光!路透獨家:挖角ASML工程師集結深圳,「這1年」挑戰美國AI晶片霸權

風傳媒

更新於 12月18日06:22 • 發布於 12月18日06:21 • 國際中心
ASML工程師在無塵室工作。(取自ASML官網)

《路透社》18日獨家報導,在深圳一座高度戒備的實驗室中,中國科學家已打造出一台可產生「極紫外光(EUV)」的晶片製造設備原型。這正是美國多年來試圖全面封鎖,以維持西方在人工智慧與先進武器領域優勢的關鍵技術。

報導引述消息人士指出,這台原型機已於 2025年初完成,目前正在測試階段,體積幾乎佔滿整個廠房樓層。該設備由一支曾任職荷蘭半導體龍頭艾司摩爾的工程師團隊打造,透過逆向工程方式重建EUV技術。這是《路透社》首次披露中國已成功建構EUV原型設備的具體細節。

EUV 是晶片冷戰核心 中國比預期更快逼近

路透報導,EUV設備被視為「科技冷戰」的核心武器。它利用極紫外光,在矽晶圓上刻畫出比人類頭髮細數千倍的電路線條,線路越細,晶片效能越強。

目前全球僅艾司摩爾一家公司能生產EUV設備。艾司摩爾(ASML)執行長今年4月曾表示,中國要自行研發該技術仍需「很多很多年」。然而,深圳原型機的存在顯示,北京距離半導體自主化的時間,可能比外界預估大幅提前。知情人士透露,中國設備已成功產生EUV光源,但尚未製造出可用晶片。

官方目標 2028 實現量產?內部評估更接近 2030

中國政府為此項目設定的官方目標,是 2028年前以該設備生產可用晶片。但多名直接參與者指出,較為現實的時間點是 2030年左右。即便如此,這仍遠快於分析師過去認為中國至少需要十年以上才能追上西方的預期。

中國整體半導體戰略,實際主導者為習近平心腹、中央科技委主任丁薛祥。(美聯社)

這項突破,是中國政府自 2019 年啟動「半導體自主化」戰略的成果,也是中國國家主席習近平最核心的政策目標。與公開宣示的晶片政策不同,深圳EUV 計畫全程秘密進行。

華為擔任中樞,丁薛祥主導戰略

該計畫隸屬於中國整體半導體戰略,實際主導者為習近平心腹、中央科技委主任丁薛祥。多名消息人士指出,華為在整個計畫中扮演關鍵協調角色,串聯全國數十家企業與國家級研究機構,動員數千名工程師。參與者形容,這是一場 「中國版曼哈頓計畫」。

報導引述一名知情人士說:「目標是最終能用100%中國製造的設備,生產最先進晶片,讓美國徹底退出供應鏈。」

艾司摩爾的EUV設備每台造價高達 2.5億美元,是生產輝達、AMD(超微)設計晶片的不可或缺設備,並由台積電、三星、英特爾等使用。艾司摩爾於2001年完成首部 EUV 原型機,但直到2019年才正式商業化,歷經近 20年、數十億歐元研發投資。

自2018年起,美國即施壓荷蘭禁止艾司摩爾向中國出售EUV設備,2022年拜登政府更進一步擴大出口管制,連較舊的DUV設備也納入限制。

假名、假證件、全封閉:工程師的地下計畫

多名消息人士透露,參與深圳 EUV 計畫的工程師 一律使用化名與假身分證件。即使在實驗室內,也必須以假名互稱,以確保保密。團隊成員多為 已退休或離職的華裔艾司摩爾工程師,因掌握關鍵技術,又較少受原公司約束,成為中國重點招募對象。

中國自2019年起對海外半導體人才提供 300至500 萬人民幣簽約金、購屋補貼等誘因,全面吸引專家回流。

NXE3400B內部EUV 光源、液滴產生器和收集鏡放大,圖為慢動作顯示光線被底部的收集鏡聚焦。(取自ASML官網)

EUV核心瓶頸:光學系統仍落後西方

艾司摩爾的EUV設備重達180噸,大小如校車。中國原型機為提升功率,體積甚至更大,但仍屬「粗糙版」。最大技術障礙在於 精密光學系統,尤其是德國蔡司(Zeiss)生產的關鍵反射鏡,目前難以複製。

中國科學院長春光機所已成功將EUV光源整合進系統,使設備於2025年初正式運轉,但光學精度仍待提升。

百人逆向工程部隊,華為工程師駐廠睡覺

中國透過二手市場與仲介公司,取得舊型艾司摩爾設備與零件,部分來自Nikon、Canon的受限零組件也被用於測試。約100名年輕工程師專責拆解、重組EUV與DUV零件,每個工作桌均設有攝影機,全程紀錄,成功重組零件者可獲得獎金。

雖由中國政府主導,但華為幾乎參與晶片供應鏈每一環,從設計、設備、製造到終端產品整合。知情人士指出,華為工程師經常直接住在廠內,敏感團隊工作期間不得返家,手機使用也受限制。即便在華為內部,計畫內容仍高度分隔,避免任何人掌握全貌。(推薦閱讀)「到處都是泡沫,2026恐迎來大清算!」《彭博》示警:從AI算力到Labubu熱潮,全球已陷入非理性繁榮

這項計畫,意味著美國長年以 EUV 技術建立的晶片防線,正面臨前所未有的挑戰。中國是否能真正跨過最後技術門檻,仍需時間驗證,但 2030年,已不再遙遠。

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