晶圓消耗量飆 6.5 倍！HBF 掀 NAND 產能排擠效應，SSD 價格下修遇亂流
聯博集團（Bernstein）最新分析指出，被視為新世代儲存方案的「高頻寬快閃記憶體」（HBF）若順利步入商業化，雖然能以遠低於 HBM4 的成本提供大容量儲存，但其龐大的晶圓消耗量恐將導致傳統 NAND 供給更加吃緊，進一步壓縮消費級固態硬碟（SSD）未來的降價空間。
成本僅 HBM4 一成，靠「平行存取」飆升頻寬
根據報告數據，8 層堆疊（8-Hi）的 HBF 每 GB 製造成本約落在 0.64 美元，僅為同等級 8 層 HBM4 的十分之一。在架構上，HBF 採用了類似 HBM 的堆疊技術，將多層 NAND 晶片透過矽穿孔（TSV）進行連接，並在底部搭配邏輯控制晶片來提升整體運作效率。
雖然 NAND 的單次讀取速度仍遠慢於 DRAM，但 HBF 透過調度大量儲存單元進行「平行存取」，成功彌補了速度劣勢，使其整體頻寬有望達到 0.3TB/s 至 3TB/s。這樣的特性，讓 HBF 非常適合用來存放 AI 模型權重與 KV 快取（KV caching）等海量資料。
晶圓消耗高達 6.5 倍，排擠現有 NAND 產能
然而，這項技術突破的代價在於極高的晶圓消耗量。報告點出，生產同等容量的 8 層 HBF，所需的晶圓產能大約是一般 TLC NAND 的 6.5 倍。這意味著，一旦 HBF 進入大規模商用階段，將會大幅吸走原本可用於製造 SSD 的 NAND 產能，導致市場供給萎縮，SSD 價格下修的腳步也可能因此跟著放緩。
目前，SanDisk 正積極與 SK 海力士（SK hynix）合作開發 HBF 相關標準，目標推出容量達 512GB、頻寬最高約 3TB/s 的產品，預估商用量產的時間點將落在 2028 年至 2029 年之間。
隨著 AI 伺服器對「高容量、低成本」記憶體的需求持續升溫，HBF 極有潛力成為介於 HBM 與傳統 SSD 之間的全新記憶體階層。不過，對於一般 PC 使用者來說，在產能受到排擠的預期心理下，短期內想要等到 SSD 價格出現明顯降幅，恐怕仍不容易。
（首圖來源：shutterstock）