黃仁勳估中國 2030 年成功自研先進曝光機，外媒揭目前技術落差
中國近年積極發展半導體國產化，輝達（NVIDIA）執行長黃仁勳認為，中國只需要再花三、四年，就能開發出自己的先進曝光系統。
外媒Tom’s Hardware 報導指出，黃仁勳接受《All-In Podcast》採訪時表示，「他們（中國）會在2030 年前做到。2030 年就在眼前。中國很擅長大規模生產。這只是時間問題……所以兩、三年只是轉眼之間，根本算不了什麼。因此對他們而言，他們其實已經做到了。」
雖然黃仁勳整體看好中國科技發展，但報導認為，他對曝光設備可能過於樂觀。目前中國主要的曝光設備生產商上海微電子（SMEE），可量產193 奈米ArF 乾式微影機，可用於製造90 奈米級製程技術的晶片。該公司已開發可支援28 奈米製程的ArF 浸潤式微影機，但目前沒證據顯示設備已進入量產，並用於高產量的晶片製造。
先前市場消息傳出，中國即將量產DUV，一間獲得中國政府支持的上海公司計劃在今年內生產5 台DUV，並在2027 年生產約20 台DUV，隨後路透社直指該公司為上海愛晟納（Aishengna），成立於2023 年8 月，資本額為70 億人民幣。報導認為，雖然該設備可能具備28 奈米級製程技術進行晶片曝光的能力，但量產前仍需要經過廣泛的認證與驗證，預期導入還要數年時間。
報導認為，假設第一批曝光機能在2026 年交付給中國晶片製造商，要在2028～2029 年之前廣泛投產似乎不太可能。整體來說，2030 年前實現ArF 浸潤式曝光技術的技術平等，可能性相當低。
而在EUV 設備則是更難追上，雖然有消息傳出中國科學家已成功開發雷射產生電漿（LPP）光源，可產生所需的13.5 奈米波長光，但中國目前要自行組裝出一台EUV 曝光機原型機都還有段距離。
（首圖來源：shutterstock）