中國記憶體加速追趕！長鑫 DRAM 落後兩年，長江 NAND 竟只差一年
韓國半導體產業協會（KSIA）近日量化中國在半導體技術上追趕西方的驚人速度，指出NAND 巨頭長江存儲與DRAM 大廠長鑫存儲正快速縮小技術差距，競爭力也日益提升。
韓媒《中央日報》（Korea JoongAng Daily）引述韓國半導體產業協會指出，韓、中兩國在記憶體晶片領域的技術差距已縮小，HBM 差距3 年、DRAM 差2 年，而NAND Flash 僅差距1 年。
令人驚訝的是，不久前這項差距還維持在約5 年。三星和SK 海力士於2025 年開始生產300 層NAND Flash，當時長江存儲正在生產270 層NAND，預期到2027 年將轉向400 層NAND，到時三星及SK 海力士差距將縮小至約1 年。
DRAM 部分，三星與SK 海力士於2023 年開始生產DDR5，但長鑫存儲到2025 年才開始生產DDR5 模組，雙方差距約2 年。目前長鑫存儲已大量生產LPDDR5X，近期也已開始生產LPDDR6；在HBM 方面，長鑫存儲目前技術落差約3 年，長鑫存儲才剛開始試產HBM3E 模組，但目前良率僅約25%，並持續面臨矽穿孔（TSV）等挑戰。
長鑫存儲採用長江存儲X-Stacking 3D NAND 記憶體技術，在G4 製程上打造HBM3E 堆疊。與完全依賴傳統微凸塊（micro-bumps）連接堆疊DRAM 晶粒不同，這項製程採用長江存儲的銅對銅混合鍵合（copper-to-copper hybrid bonding），藉此將晶圓之間的銅互連直接接合，縮短堆疊DRAM 層之間的電路路徑。
更重要的是，這種架構讓長鑫存儲與長江存儲無需依賴EUV 設備，也能製造具競爭力的HBM 架構。Wccftech 指出，長鑫存儲今年也將取得上海愛晟納與宇量昇生產的部分國產DUV 設備，但這些DUV 設備製造商仍面臨一些瓶頸，尤其與投影鏡頭及光源有關。
長鑫存儲正將這項技術應用於G4 DRAM 製程（相當於1z 節點）及LPDDR5X 產品，合理推測該公司即將進一步邁向更先進的1a 節點。此外，考量長鑫存儲已經在開發下一代15nm G5 DRAM 製程，這項可能性也進一步提高。
至於長江存儲，其產能預計在2027 年初達到每月30 萬片晶圓，其中部分產能將用於LPDDR。待其兩座新晶圓廠於2027 年投產後，總產能將在2028 年提升至每月45 萬至50 萬片晶圓；相比之下，三星NAND 產能預計在2027 年底達到每月35 萬片晶圓。
（首圖來源：Pixabay）