三星衝刺 HBM 產能，DDR5 模組全面擴大委外代工、協力廠急擴產
為了將資源集中於高附加價值的高頻寬記憶體（HBM）等先進產品，三星電子正全面調整記憶體產能配置，計劃將通用型 DDR5 記憶體模組與固態硬碟（SSD）的新增產能，幾乎全數交由委外合作夥伴承接。業界 15 日指出，三星近期已敦促組裝與測試外包（OSAT）廠擴充產線，以因應 PC、伺服器與筆記型電腦日益增長的 DDR5 需求。
消息人士透露，三星加速將通用記憶體擴產計畫轉向外包，主因在於 AI 半導體製造需求激增，導致現有的後段產線空間嚴重不足。目前，三星位於韓國天安與溫陽等地的封裝工廠，正全面重新配置為包含 HBM 在內的先進封裝產線。這意味著，即便 DDR5 市場需求持續看漲，三星也不打算優先擴充自家產能，而是透過供應鏈夥伴來消化新增訂單。
據悉，三星早在去年 6 月便要求合作夥伴擴大對 DDR5 與 SSD 產線的投資，今年更進一步提議供應鏈提前推進原訂的擴產計畫。從技術層面來看，DDR5 模組的組裝門檻相對 HBM 較低，僅需將預先封裝好的 DRAM、NAND 晶片與被動元件貼裝至印刷電路板（PCB）上即可，因此外包模式完全有能力支撐產能的大幅擴張。
在廠區與海外布局方面，三星本月將於溫陽園區動工興建耗資達 6 兆韓圜的 HBM 新廠，但距離實際完工投產仍需數年時間；同時，斥資 15 億美元在越南太原省工業園區興建的新後段工廠，未來將專門處理 DDR4、低功耗 LPDDR4、NAND 快閃記憶體與 UFS 等較舊世代產品的測試業務。業界分析，在自有產能短期內難以大幅擴張的情況下，三星透過「成熟產品委外」與「海外分工」的策略，將能有效最大化整體的資源運用效率。
（首圖來源：三星）