SK海力士量產321層QLC NAND 明年上半年導入AI資料中心

SK 海力士今 (25) 日宣佈，新開發出的 321 層 2Tb (Terabit) QLC NAND 快閃記憶體產品已開始量產，為現有 NAND 快閃記憶體產品中集成度最高的產品，經過全球客戶公司的驗證后，預計明年上半年進入 AI 資料中心市場。

SK 海力士指出，公司為最大提高此次產品的成本競爭力，將其開發為與現有產品容量翻倍的 2Tb 產品。

一般來說，NAND 快閃記憶體容量越大，單元中儲存的資訊越多，並且記憶體管理越複雜，導致數據處理速度就越慢。為此，SK 海力士通過將 NAND 快閃記憶體內部可獨立運行的平面 (Plane) 架構從四平面擴展為六平面，從而提升並行處理能力，緩解了因大容量導致的性能下降問題。

因此，該新品不僅實現高容量，且性能也較以往的 QLC 產品大幅提升。數據傳送速率提高了一倍，寫入性能最多提升了 56%，讀取性能也提升了 18%。同時，數據寫入能效也提高 23% 以上，在需要低功耗的 AI 數據中心等領域也具備了更強的競爭力。

SK 海力士計劃先在電腦端固態硬碟 (PC SSD) 上應用 321 層 NAND 快閃記憶體，隨後逐步擴展到面向數據中心的企業級固態硬碟 (eSSD) 和面向智慧手機的嵌入式存儲 (UFS) 產品。

此外，SK 海力士也將基於堆疊 32 個 NAND 晶片的獨有封裝技術，實現比現有高出一倍的集成度，正式進入面向 AI 伺服器的超高容量 eSSD 市場。

SK 海力士 NAND 開發擔當副社長鄭羽杓表示，此次產品開始量產，大幅強化高容量存儲產品群組，同時確保了成本競爭力。 為了應對迅速增長的 AI 需求和數據中心市場的高性能要求。

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