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美光展示全球首款 512GB DDR5 RDIMM,單一伺服器記憶體容量衝上 12TB

科技新報

更新於 09月16日12:17 • 發布於 09月16日10:10

美光科技(Micron)於 15 日宣布,已在多個伺服器平台上成功展示全球首款 512GB DDR5 RDIMM,將單一記憶體模組容量推升至新高,並將最高傳輸速度提升至 9,200 MT/s。這項成果被視為因應 AI、分析運算與大型資料工作負載持續升溫的重要一步。

根據美光表示,這款模組採用垂直互連封裝技術,透過矽穿孔(TSV)將多顆 DRAM 晶粒垂直堆疊,在維持資料中心架構所需效能的同時,進一步提高單一封裝內的密度。以 24 插槽雙路伺服器為例,搭載這款模組後,DDR5 記憶體總容量最高可達 12TB。

美光資深副總裁暨雲端記憶體事業部總經理Raj Narasimhan 表示,美光持續引領記憶體技術發展,推出全新等級的超高密度、高效能伺服器記憶體,協助客戶將更龐大的資料集置於所需的運算引擎附近。512GB RDIMM 可實現數TB 容量等級的伺服器,支援規模更大的AI 與資料庫工作負載、更高的虛擬化密度與更佳的功耗效率,且這一切都在既有的伺服器規格尺寸內完成。

除了容量與速度的提升,美光也強調能效的改善。相較於使用四條 128GB RDIMM 組成相同容量,單一 512GB 模組的運作功耗可降低超過 60%。針對記憶體受限的工作負載(例如以 Spark 支援向量機為基礎的資料分析),美光表示效能最高可比 256GB DDR5 配置提升 1.4 倍,並有助於提升 Redis、RocksDB 等快取與資料庫應用的吞吐量與擴充性。

目前,AMD 與 Intel 均正在驗證這款 512GB DDR5 RDIMM,目標是使其能在下一代伺服器平台上廣泛相容。美光尚未公布售價與具體上市時間,僅表示預計於 2027 年下半年進入量產,並將根據客戶需求調整進度。

JPMorganChase 基礎架構平台資訊長Darrin Alves 指出,隨著資料中心工作負載持續成長,如何在整個技術堆疊中最佳化運算、記憶體與效率之間的平衡,成為市場關注焦點。美光512GB RDIMM 這類更高容量的記憶體技術,將協助企業支援規模更大的記憶體內(in-memory)工作負載、提升資源使用率,並強化擴展現代運算環境所需的靈活度。

(首圖來源:美光

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