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MLCC 龍頭村田攻 AI 晶片垂直供電,iPaS 明年量產

科技新報

更新於 09月14日16:16 • 發布於 09月14日16:16

為減少電力傳輸的損耗,電源也開始從晶片周圍往「正下方」移動。全球積層陶瓷電容(MLCC)龍頭村田製作所計劃明年量產整合封裝解決方案(Integrated Package Solution,iPaS),將電容、電感等被動元件功能整合進多層電源基板,支援垂直供電(Vertical Power Delivery,VPD)架構。村田計劃將 iPaS 培養為下一代成長產品,目標是在量產後 18 個月內,將年營收推升至 500 億日圓。

隨 AI 加速器運算效能提高,晶片功耗與供電電流同步增加,但核心工作電壓仍維持在低電壓範圍,使最後一段供電必須處理愈來愈大的電流。

傳統架構多將電源模組配置於 AI 加速器周圍,再經由 PCB、封裝基板及相關線路將電力送入晶片;當電流持續提高,如何縮短供電路徑、降低電阻損耗與壓降,也成為 AI 晶片電源設計的重要課題。

根據韓媒報導,村田此次推出的 iPaS,便是希望進一步縮短電源與 AI 晶片之間的距離。不同於傳統將 MLCC、電感等元件安裝於基板表面,iPaS 將相關功能直接整合至超小型多層基板內,表面可形成電路布線,並利用內部導通孔(Via)連接上下層線路,使電力能夠垂直傳輸。

透過這項設計,電源模組可由原先配置於 AI 加速器周圍,進一步移至晶片正下方,以支援 VPD 架構。除了縮短大電流供電路徑,將部分電容及電感功能整合進基板,也能減少被動元件占用的表面空間,為 AI 晶片、HBM 及其他元件配置騰出更多空間。

村田目前分別開發電容型與電感型 iPaS,其中電容型將大容量電容整合至基板,可降低基板阻抗並減少表面 MLCC 數量;電感型則將線圈功能整合進基板,兼顧大電流與省空間需求。未來村田還計劃將電容與電感功能整合於同一基板。

村田在 2023 年首度展示 iPaS 樣品,並於 2024 年電子元件與技術會議(ECTC)展示採用 iPaS 的電源模組。根據當時測試結果,在維持與傳統設計相近電壓波動特性的情況下,表面安裝電容數量可減少超過 60%。

垂直供電很美好,但是實際如何呢?

不過,隨電源模組逐步靠近甚至移至 AI 晶片下方,也意味封裝、電源及散熱設計需要同步調整。除了大電流環境下的熱管理,包括多層基板、材料可靠性及有限封裝空間內如何配置電源與訊號線路,都將成為 VPD 後續導入需要解決的技術課題。

  • Murata to Mass-Produce iPaS for AI Chips Next Year

(首圖來源:村田製作所

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