高盛：中國先進晶片製造技術至少落後西方20年
MoneyDJ新聞 2025-09-02 12:39:33 郭妍希 發佈
華爾街投資銀行高盛(Goldman Sachs)認為，在先進晶片製造的核心科技——微影技術(lithography)方面，中國目前落後西方至少20年。
Wccftech 1日報導，微影技術是阻止中國製造高階晶片的唯一瓶頸，而最先進的微影設備是由荷蘭半導體設備業龍頭艾司摩爾(ASML Holding N.V.)打造，由於這些設備必須使用源自美國的零組件，因此美國政府能夠管制其出口至中國。
高盛報告指出，中國本土產業距離追上ASML當前世代的晶片製造技術，還差了至少20年。
目前，像台積電(2330)這樣的先進晶片製造商，都已開始量產3奈米晶片、並準備投產2奈米產品。高盛報告強調，ASML花了20年以及400億美元的研發與資本支出，才終於從65奈米進步到3奈米以下的微影技術。
高盛直指，中國當地的微影設備製造商目前還停留在65奈米製程，該行的資料顯示，當地業者顯然難以在短期內追上西方技術。
ASML執行長Christophe Fouquet去(2024)年12月接受荷蘭鹿特丹商報(NRC)訪問時曾表示，「禁止出口極紫外光(EUV)微影設備，將讓中國落後西方10~15年。這確實會造成影響。」
華為及夥伴正在努力研究EUV技術、希望能自行打造微影晶片製造設備和相關生態系統，最快可能得花10~15年。ASML及夥伴當初從無到有，總共花費20多年才開發出商用機台、成功創立EUV生態體系。
須謹記，許多1990年代初期至中期研發的技術如今已全面公開，中國企業不需從零開始。然而，等到中國半導體業研發出低數值孔徑極紫外光(Low-NA EUV)系統，西方晶片業屆時應已進化至高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)、甚至是超數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)設備。
(圖片來源：shutterstock)
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