力積電Q2虧損擴大 下半年續聚焦DRAM代工、3D AI先進製程布局
晶圓代工廠力積電（6770）22日公布2025年第二季財報，因新台幣升值與帳面匯損影響，單季淨損擴大至33.3億元，每股虧損0.8元，較第一季每股虧損0.26元明顯擴大。力積電總經理朱憲國指出，下半年將持續聚焦DRAM代工、3D AI先進製程等高附加價值產品，帶動營運結構優化。
力積電表示，第二季出貨量約40萬片，較第一季成長9％，但因新台幣升值5％影響，平均銷售單價（ASP）下滑約2％至3％，台幣計價的營收增幅僅1.5％。
匯率因素對獲利造成顯著衝擊，第二季帳面匯兌損失達15.9億元，推升第二季淨損較第一季11億元大增至33.3億元。
展望後市，總經理朱憲國提出五大營運重點，在邏輯產品線方面，第三季能見度仍低，大中華區驅動IC、影像感測元件（CIS）需求偏弱，但歐美電源管理IC（PMIC），特別是AI應用相關需求依舊強勁。
第二，DRAM代工近期需求明顯回升，受一線大廠宣布退出8G DDR4市場影響，帶動客戶提前備貨，投片需求滿載，投片ASP自上月起逐月上揚。公司預期，此效益將於三至四個月後陸續反映在營收與毛利表現上。
第三，SLC Flash產品線需求回溫，隨終端客戶庫存去化，備貨意願回升。24奈米SLC Flash已正式量產，因應主流大廠未來幾年逐步退出SLC市場，力積電客戶設計導入積極，後續出貨動能可期。
第四，力積電加速3D AI Foundry與Interposer布局，第二季Interposer已開始小量出貨，目前以CoWoS-S為主，此外CoWoS-L也提供給客戶設計導入。日前董事會已通過Interposer擴增產能的資本支出提案，今明二年對毛利的貢獻會逐步浮現。
另外DRAM四層WoW堆疊搭配友廠先進邏輯製程晶片的驗證也順利進行中，DRAM八層WoW堆疊技術也配合客戶開發中，未來連同Interposer會成為3D AI Foundy的主要獲利來源。
第五項重點是8吋GaN（氮化鎵）應用在AI server的100V技術平台開發已近完成，第一批客戶送樣中，預計今年Q4開始試產，650V因友廠Navitas退出GaN代工市場，也引起市場廣泛注意，近日美日客戶對力積電GaN代工詢問度明顯提升。
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