台積電2奈米洩密案　智財分署起訴3嫌求重刑

（中央社記者謝幸恩台北27日電）高檢署智財分署今天偵結台積電2奈米洩密案，查出陳力銘轉任東京威力科創後為改善蝕刻機台，涉透過任職台積電的吳秉駿、戈一平拍攝重製關鍵技術，依國安法等罪嫌起訴陳男等3人。

檢察官認為，本案事涉產業命脈的國家核心關鍵技術，嚴重威脅半導體產業國際競爭力，被告3人犯罪情節重大，請求從重量刑，求處陳力銘應執行有期徒刑14年、吳秉駿應執行9年徒刑、戈一平7年徒刑。

陳力銘、吳秉駿、戈一平目前羈押中，台灣高等檢察署表示，預計下週移由智慧財產及商業法院審理，由法院決定審判中是否羈押禁見，另已分案續查是否有法人及自然人涉有相關刑事責任。

根據高檢署智慧財產檢察分署新聞稿，陳力銘曾任台灣積體電路製造股份有限公司12廠良率部門工程師，離職後進入台積電的半導體製造設備供應商東京威力科創股份有限公司行銷部門。

民國112年下半年至今年上半年間，陳力銘為替東京威力公司爭取成為台積電先進製程更多站點設備供應商，多次要求當時在職的台積電工程師吳秉駿、戈一平提供關鍵技術與營業秘密，拍攝重製後俾利東京威力公司檢討改善蝕刻機台表現，以爭取台積電2奈米製程蝕刻站點供應量產機台資格。

台積電發覺異常後內部調查，懷疑有在職與離職員工非法取得關鍵技術與營業秘密，7月8日提出告訴。

智財分署檢察官隨即指揮法務部調查局新竹巿調查站、資安工作站及北部地區機動工作站，於7月25日至28日間發動搜索，拘提與傳喚陳力銘、吳秉駿、戈一平等人到案，並向法院聲請羈押禁見陳力銘等3人獲准。

智財分署檢察官密集偵訊被告及證人，並分析電磁紀錄及證物後，認定陳力銘、吳秉駿、戈一平犯罪事證明確。

根據新聞稿，陳力銘涉犯營業秘密法意圖域外使用而竊取營業秘密罪求刑5年，涉犯營業秘密法竊取營業秘密罪求刑3年，涉犯國家安全法國家核心關鍵技術營業秘密之域外使用罪各量刑8年，應執行有期徒刑14年。

此外，吳秉駿涉犯營業秘密法意圖域外使用而竊取營業秘密罪求刑4年，涉犯國家安全法國家核心關鍵技術營 業秘密之域外使用罪求刑7年，應執行有期徒刑9年；戈一平涉犯國家核心關鍵技術營業秘密之域外使用罪，求刑7年。

高檢署智財分署表示，其餘未在押廖姓被告等3人，因未涉及域外使用，僅涉犯營業秘密法知悉或持有營業秘密，未經授權或逾越授權範圍而重製、使用或洩漏該營業秘密罪，此條文屬告訴乃論之罪，台積電表明不提告，因此予以簽結。（編輯：蕭博文）1140827